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  • Noyau IR intégré M10-256

    Noyau IR intégré M10-256

    Le noyau d'imagerie thermique infrarouge intégré M10-256 est un produit d'imagerie thermique infrarouge haute performance développé sur la base d'un détecteur infrarouge d'oxyde de vanadium non refroidi encapsulé de qualité tranche.La sortie de l'interface USB est adoptée pour le produit, pour lequel elle dispose de plusieurs interfaces de contrôle et est adaptable à diverses plates-formes de traitement intelligentes.Avec ses hautes performances, sa faible consommation d'énergie, sa petite taille et sa facilité de développement et d'intégration, le produit convient aux besoins de développement secondaire de divers produits de mesure de température infrarouge.

  • Noyaux d'imagerie thermique M10-256 de type divisé

    Noyaux d'imagerie thermique M10-256 de type divisé

    ◎ Petite taille, avec la lentille frontale de seulement (13 * 13 * 8) mm et la carte d'interface de (23,5 * 15,3) mm

    ◎ Faible consommation d'énergie jusqu'à 640 mW ;

    ◎ La résolution 256 * 192 fournit une image thermique haute définition ;

    ◎ Équipé d'une carte d'interface USB, il peut être développé en différents produits ;

    ◎ Une conception de type divisé est adoptée pour l'objectif et la carte d'interface, qui sont connectés par un câble plat FPC ;

  • Module d'imagerie thermique non refroidi M-256

    Module d'imagerie thermique non refroidi M-256

    Le module d'imagerie thermique est basé sur un détecteur infrarouge d'oxyde de vanadium non refroidi dans un emballage en céramique pour développer des produits d'imagerie thermique infrarouge de haute performance, les produits adoptent une interface de sortie numérique parallèle, l'interface est riche, un accès adaptatif à une variété de plates-formes de traitement intelligentes, avec des performances élevées et une faible puissance. La consommation, petit volume, facile aux caractéristiques de l'intégration du développement, peut répondre à l'application de divers types de température de mesure infrarouge de la demande de développement secondaire.